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简介:尺寸:直径=9.7“高=6”放电电压/电流:50-300V/20A操作气体:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有机前体
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简介:在离子刻蚀工艺中,离子源与离子光学配合,蚀刻更均匀.标准配置下RFICP100离子能量范围100至1200ev,离子电流可以达到400mA.
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简介:上海伯东代理美国进口KRI射频离子源RFICP40:目前KRI射频离子源RFICP系列尺寸最小,低成本高效离子源.适用于集成在小型的真空腔体内.离子源RFICP40设计采用创新的栅极技术用于研发和...
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简介:尺寸:直径=5.7“高=5.5”放电电压/电流:50-300V/10A或15A操作气体:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有机前体
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简介:尺寸:直径=5.7“高=5.5”放电电压/电流:50-300V/10A操作气体:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有机前体
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简介:上海伯东代理美国进口KRI考夫曼离子源KDC40:小型低成本直流栅极离子源.KDC40是3cm考夫曼型离子源升级款.具有更大的栅极,更坚固,可以配置自对准第三层栅极.离子源KDC40适用于所有的离...
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简介:上海伯东代理美国进口KRI考夫曼离子源KDC10:考夫曼型离子源Gridded系列最小型号的离子源.适用于集成在小型的真空设备中,例如预清洗,离子溅射,离子蚀刻.在1000eV低能量,通Ar氩气时...
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简介:上海伯东代理美国进口KRI考夫曼离子源KDC75:紧凑栅极离子源,离子束直径14cm,可安装在8“CF法兰.适用于中小型腔内,考夫曼离子源KDC75包含2个阴极灯丝,其中一个作为备用,KDC75提...
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简介:上海伯东代理美国KRI霍尔离子源eH400低成本设计提供高离子电流,霍尔离子源eH400尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统,可以控制较低的离子能量,通常应用于离子辅助镀膜,预清洗和低能量离子蚀...
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简介:霍尔离子源eH提供一套完整的方案包含离子源,电子中和器,电源供应器,流量控制器MFC等等可以直接整合在各类真空设备中,例如镀膜机,loadlock,溅射系统,卷绕镀膜机等
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