尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国 进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最 限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数
型号
eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
供电
DC magnetic confinement
- 电压
40-300V VDC
- 离子源直径
~ 5 cm
- 阳极结构
模块化
电源控制
eHx-30010A
配置
-
- 阴极中和器
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度
> 45° (hwhm)
- 阳极
标准或 Grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移动或快接法兰
- 高度
4.0'
- 直径
5.7'
- 加工材料
金属
电介质
半导体
- 工艺气体
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离
16-45”
- 自动控制
控制4种气体
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洗 Load lock preclean
• 预清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项 . 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 中国台湾伯东 : 王小姐
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