美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺.
KRi 霍尔离子源特点
高电流低能量宽束型离子束 |
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KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 典型案例:
设备: 美国进口 e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: EH 400
应用: IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.
通过使用美国 KRi 霍尔离子源可以实现
增强和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改进, 控制薄膜化学计量, 提高折射率, 降低薄膜应力, 控制薄膜微观结构和方向, 提高薄膜温度和环境稳定性, 增加薄膜附着力, 激活表面,平滑的薄膜界面和表面,降低薄膜吸收和散射,增加硬度和耐磨性.
美国 KRi 离子源适用于各类沉积系统, 实现 IBAD 辅助镀膜 (电子束蒸发或热蒸发, 离子束溅射, 分子束外延, 脉冲激光沉积)
美国 KRi 霍尔离子源 eH 系列在售型号:
型号 | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | eH Linear |
中和器 | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F |
阳极电压 | 50-300 V | 50-300 V | 50-300 V | 50-250 V | 50-300 V |
离子束流 | 5A | 10A | 10A | 20A | 根据实际应用 |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
气体流量 | 2-25 sccm | 2-50 sccm | 2-75 sccm | 5-100 sccm | 根据实际应用 |
本体高度 | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ | 根据实际应用 |
直径 | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ | 根据实际应用 |
水冷 | 可选 | 可选 | 是 | 可选 | 根据实际应用 |
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
上海伯东同时提供 e-beam 电子束蒸发系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗小姐
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