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上海伯东代理进口 KRI 霍尔离子源 eH 400

参考价 ¥ 360000
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上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

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霍尔离子源 eH 400

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, zui大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
• 等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

型号

eH 400 / eH 400 LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300 V VDC

 - 离子源直径

~ 4 cm

 - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

3.0'

  - 直径

3.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

6-30”

  - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洁 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专li. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生      



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