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伯东公司供应 KRI 考夫曼离子源 KDC 40

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上海伯东代理美国 进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 1

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KRI 考夫曼离子源 KDC 40

KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国 进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

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型号

KDC 40

供电

DC magnetic confinement

- 阴极灯丝

1

- 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

- 栅极

专用, 自对准

-栅极直径

4 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1202

配置

-

- 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

- 架构

移动或快速法兰

- 高度

6.75'

- 直径

3.5'

- 离子束

集中
平行
散设

-加工材料

金属
电介质
半导体

-工艺气体

惰性
活性
混合

-安装距离

6-18”

- 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架


KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               中国台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 e



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