膜厚测定装置 UTS-2000

膜厚测量装置UTS-2000
▼概要
膜厚测定装置UTS-2000采用的分光分析技术，可以非接触，非破坏高速而且高精度的测量基板膜，基板厚，雕刻残余等的膜厚。 另外，使用标配的自动样品台可以分析电子元件内的膜厚分布。另外，有丰富的配件，测量扩散层之类的基板和膜界面不明朗膜厚的波长扩张组件，测量Si中杂质轻元素含量的透过测量系统，分析浓度的数据解析软件等，也可以对应膜厚测量之外的测量。另外，可以与自动搬送装置组合，对应产品研发到评价广泛的需求。
◆特征
・可测量0.25～750μm的测量大范围的膜厚（基板厚）
・采用高精度干渉計和高通量光学系统、可测量高准确度的膜厚数据。
・测量膜厚的必须条件･映射･膜厚计算的个条件可以作为菜单登陆管理
・可长波长扩张。可对应除去大气噪音的真空装置
・可测量Si 中的杂质轻元素、以及电子元件的透过测量
・对应自动搬送装置（配件）


◆测量原理
膜厚测量装置通过解析红外区域的干涉光谱，非破坏・非接触、高速而且高准确度计测膜厚。 通过计测可得到膜厚的周期干涉光谱。 干涉光谱由日本分光*的周波数解析法转变为*的公式通过峰值高准确度的算出膜厚。

◆高计测再现性
下图表示硅晶膜反复计测结果。反复计测10次的值如下、±0.001μm以下、 膜厚测量装置具有很高的计测再现性。