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RTP-3-04 半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉

参考价 ¥ 560000 ¥ 550000 ¥ 530000
订货量 1-2 3-5 ≥6
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称 武汉嘉仪通科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型号 RTP-3-04
  • 所在地 武汉市
  • 厂商性质 生产厂家
  • 更新时间 2023/6/14 15:33:27
  • 访问次数 236

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半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉可应用于集成电路的离子注入退火;集成电路、LED芯片、半导体激光器芯片、射频芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半导体等的合金化退火;石墨烯,Au纳米晶的制备;集成电路,LED芯片、第三代半导体等的致密化退火;集成电路、分立器件、功率器件、射频芯片等的热氮化/热氧化退火。

详细信息 在线询价

半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉可应用于集成电路的离子注入退火;集成电路、LED芯片、半导体激光器芯片、射频芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半导体等的合金化退火;石墨烯,Au纳米晶的制备;集成电路,LED芯片、第三代半导体等的致密化退火;集成电路、分立器件、功率器件、射频芯片等的热氮化/热氧化退火。

快速退火炉(RTP-3-04台式系列) (3).png


快速退火炉对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氮化(RTN)、快速热氧化(RTO)及金属合金化等研究和生产起到重要作用。

温度范围:RT~1200℃,大升温速率:50 ℃/s  控温精度:±0.1℃   温度均匀性:±1%   降温速率:1200℃→400℃:200℃/min400℃→100℃:20℃/min


半导体芯片退火设备 RTP快速退火炉产品特点

● 快速加热和降温: 高可控升温速率可达50 ℃/s,特定条件下可以达到100 ℃/s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率,特定条件下可达30 ℃/s。

● 精确控温: 采用工业温控器进行PID精确控温,目标温度与设定温度曲线一致性高,可实现室温至1200 ℃的温度精确控制。

● 适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理(氮气、氩气等)。同时,通过选配真空泵,可以在真空条件下进行退火,高真空度可达10-3Pa。

● 配备观察窗口: 通过观察窗口,可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时,可以结合相关测试方法进行原位测试分析。

● 超高安全系数: 采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统,多方位保障仪器使用安全。

● 国产退火炉:拥有自主研发技术和制造能力,能快速反应客户售后需求。


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