RTP-3-04 嘉仪通RTP4吋快速退火炉 控温精度准

快速退火炉 嘉仪通RTP4吋快速退火炉 控温精度准 升温速度快 半导体退火设备采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配高精度温度控制系统，可达到比较好的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。

快速退火炉 嘉仪通RTP4吋快速退火炉 控温精度准 升温速度快 半导体退火设备采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配高精度温度控制系统，可达到比较好的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配高精度温度控制系统，可达到比较好的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。

 快速退火炉 嘉仪通RTP4吋快速退火炉 控温精度准 升温速度快 半导体退火设备有以下特点：

• 可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。

• 可远程操作：提供远程监控模块。

• 压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。

• 存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。

• 快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-3Pa。

• 程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。

• 特别的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1.5%。

• 全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。

• 超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，多方位保障设备使用安全。

• 国产退火炉：拥有自主研发技术和制造能力，能快速反应客户售后需求。

桌面式4吋快速退火炉已经被应用于下列客户的科研制造中:

• 金属电极合金化························华为海思半导体、中科院上海微系统与信息技术研究所、浙江大学微电子系

• 硬质合金薄膜去应力退火················哈尔滨工业大学航天学院等

• 石墨烯生长····························中科院宁波材料技术与工程研究所等

• 器件退火RTP······························清华大学微电子系等

• 材料再结晶、晶化······················华南理工大学材料科学与工程学院等

• 热氧化RTO、热氮化RTN································浙江大学硅材料国家重点实验室、中国科学技术大学微电子学院等

• ITO膜致密化···························浙江大学信息与电子工程学院等

• 应用于超净间··························上海微系统与信息技术研究所、清华大学微电子学研究所

• 薄膜CVD生长··························武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室等

• 搭载电学测试模块变温电阻测量···········华中科技大学微电子学院、中国工程物理研究所

• 等离子注入/接触退火

• 太阳能电池片键合

• 低介电材料热处理

• 芯片晶圆热处理RTA

• 键合炉/合金炉

• 其他热工艺需求