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返回产品中心>20纳米世代后的装置对精度和工艺要求非常高，如双重图案和3D构造，以及针对新材料相对应的高精密度复杂制程要求，包含后道处理和形成保护膜等。为了对应这类下一代器件工艺，半导体蚀刻装置9000系列统一了接口并且能够搭载高精度模块化的各种腔室，从而实现了对器件的扩展性和柔软性的工艺。
20纳米世代后的装置对精度和工艺要求非常高，如双重图案和3D构造，以及针对新材料相对应的高精密度复杂制程要求，包含后道处理和形成保护膜等。为了对应这类下一代器件工艺，半导体蚀刻装置9000系列统一了接口并且能够搭载高精度模块化的各种腔室，从而实现了对器件的扩展性和柔软性的工艺。
| 应用晶圆直径 | 300mm |
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| 装置构成 | 9 chambers (max.) |
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