系统规格：波长：637nm入射角：连续，30~90°（±0.03°）样品尺寸：4inch~8inch精度：（1200A SiO2标准片，5times） TKS±2.5A/N±0.005尺寸：80cm×34cm×42cm应用：镀膜工艺 *化及监控 SiNx减反膜工艺 TiO2减反膜工艺 复合SiNx减反膜工艺SiO2钝化工艺复合SiNx/SiO2减反膜工艺SiO2掩膜工艺
系统规格：
波长：637nm
入射角：连续，30~90°（±0.03°）
样品尺寸：4inch~8inch
精度：（1200A SiO2标准片，5times）
TKS±2.5A/N±0.005
尺寸：80cm×34cm×42cm
软件特征：
整合量测、分析、计算
操作模式安全化
同步原始数据呈现
硬件特征：
半导体镭射光源
三格林泰勒棱镜偏振系统
波长：260-1800nm
消光比：＞105
发散角：≤3mrad
真空吸附载物台
自动连续入射角（零度校正）
高分辨率半导体探测器
*您想获取产品的资料：
个人信息：
