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全波长(可见光)椭偏仪

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系统规格:波长范围:350~850nm入射角:30°~ 90°解析度:±0.01°待测样品尺寸:up to 200mm精度:1200A SiO2标准片厚度:(Tks):±6A折射率(N):±0.01 at 632.8nm重复性:1200A SiO2标准片厚度(Tks):±2.5A折射率(N):±0.005 at 632.8nm (5 times)尺寸:140cm×50cm×60cm

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系统规格:
波长范围:350~850nm
入射角:30°~ 90°
解析度:±0.01°
待测样品尺寸:up to 200mm
精度:1200A SiO2标准片
厚度:(Tks):±6A
折射率(N):±0.01 at 632.8nm
重复性:1200A SiO2标准片
厚度(Tks):±2.5A
折射率(N):±0.005 at 632.8nm (5 times)
尺寸:140cm×50cm×60cm

应用:

太阳能电池
 SiNx减反膜工艺
 TiO2减反膜工艺
 复合SiNx减反膜工艺
SiO2钝化工艺
 复合SiNx/ SiO2减反膜工艺
 SiO2掩膜工艺
TFT-LCD
 SIOx,SiNx,a-Si:H,N+a-Si…
SEMI
 High-k:AL2O3,SiO2,Si3N4,SiNx…
 LOW-k:SiOC,SiOF,SOG,BPSG…
OLED
 AlQ3,CuPc…
软件特征:
整合量测、分析、计算     操作模式安全化     同步原始数据呈现
硬件特征:
高稳定性氙灯光源
高解析度光栅式单色仪
波长范围:350~850nm
波长解析度:1nm,精度:0.5nm
三格林泰勒棱镜偏振系统
波长:260~1800nm
消化比:>105
发散角:≤3mrad
真空吸附载物台
自动连续入射角(零度校正)
高分辨率光电倍增管探测器
波长范围:185nm~900nm
暗电流:≤25 nA
自动电压增益控制系统(Vmax:1100v)


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