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TE制冷型铟镓砷探测器
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具体成交价以合同协议为准
- 公司名称 北京卓立汉光仪器有限公司
- 品牌
- 型号
- 所在地 北京市
- 厂商性质 生产厂家
- 更新时间 2018/2/6 14:40:30
- 访问次数 921
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TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs（x）-TE 具有相同的外观设计， 其中x-1700， 2600，均采用进口二级制冷铟镓砷探测元件。
TE制冷型铟镓砷探测器（DInGaAs）
TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计， 其中x-1700， 2600，均采用进口二级制冷铟镓砷探测元件。
TE制冷型铟镓砷探测器光谱响应度曲线参考图（虚线为某款国产InGaAs对比曲线）：
铟镓砷探测器使用建议：
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；
TE制冷型铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标：
型号/参数 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs2600-TE |
光敏面直径(mm) | 3 | 3 |
波长范围(nm) | 800-1700 | 800-2600 |
峰值响应度(A/W) | 0.9 | 1.2 |
D*(典型值) | 8.4×1013 | 4.9×1011 |
NEP(典型值) | 3.2×10-15 | 5.5×10-13 |
温控器型号 | ZTC | ZTC |
探测器温度(℃) | -40 | -40 |
温度稳定度(℃) | ±0.5 | ±0.5 |
环境温度(℃) | +10~+40 | +10~+40 |
信号输出模式 | 电流 | 电流 |
输出信号极性 | 正（P） | 正（P） |
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