常温型铟镓砷探测器 DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件； DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件； DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件
铟镓砷探测器（InGaAs）
常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件；
DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件；
DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件
铟镓砷探测器光谱响应度曲线参考图 （虚线为国产InGaAs元件光谱响应度曲线，实线为进口元件）：
铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标：
| 型号/参数 | DInGaAs1650 | DInGaAs1700- R03M | DInGaAs2600- R03M |
| 光敏面直径(mm) | 3 | 3 | 3 |
| 波长范围(nm) | 800-1700 | 800-1700 | 800-2600 |
| 峰值响应度 (A/W, zui小) | 0.85 | 0.9 | 1.1 |
| 暗电流(nA, zui大) | 200 | 100 | 1mA |
| D*(典型值) | - | 2.3×1012 | 4.1×1010 |
| NEP(典型值) | - | 1.2×10-13 | 6.5×10-12 |
| 阻抗(MΩ) | 1 | 1.5 | 320Ω |
| 电容(pF) | 1500 | 800 | 9000 |
| 响应时间(ns) | 160 | 100 | 1μs |
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 |
| 输出信号极性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
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