DSi300硅光电探测器电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
DSi200/DSi300硅光电探测器———室温型探测器，波长范围：200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同，其中：
DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
DSi300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器
推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用
两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图：
DSi300硅光电探测器使用建议：
DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。
DSi300硅光电探测器型号列表及主要技术指标：
| 技术指标＼型号名称 | DSi200 紫敏硅探测器 | DSi300 蓝光增强型硅探测器 | |
| 进口紫外增强型 | 进口蓝光增强型 | ||
| 有效接收面积(mm2) | 100(Ø1.28) | 100(Ø1.28) | |
| 波长使用范围(nm) | 200-1100 | 350-1100 | |
| 峰值波长(nm)，典型值 | 820nm | 970nm | |
| 峰值波长响应度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) | |
| 典型波长的响应度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm | |
| 响应时间(μs) | 5.9 | 2 | |
| 工作温度范围(℃) | -10～+60 | -10～+60 | |
| 储存温度范围(℃) | -20～+70 | -20～+70 | |
| 分流电阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) | |
| 等效噪声功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 | |
| zui大操作电流(mA@0V bias) | 0.1 | 10.0 | |
| 结电容(pf@0V bias) | 4500 | 8800 | |
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 | |
| 输出信号极性 | 正（P） | 正（P） | |
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