离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片

样品台

样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转

离子源

20cm 考夫曼离子源

均匀性

±5% for 8”Ф

硅片蚀刻率

20 nm/min

温度

<100

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

Ar 的压缩比

> 1 · 1011

Ar 的抽速

665 l/s

Ar 的最终转速时的气体流量

3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s

H2 的压缩比

4 · 105

H2 的抽速

555 l/s

H2 的最终转速时的气体流量

> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/s

He 的压缩比

3 · 107

He 的抽速

655 l/s

He 的最终转速时的气体流量

10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/s

I/O 接口

RS-485, 远程, Profibus

N2 的压缩比

> 1 · 1011

N2 的抽速

685 l/s

N2 的zui大预真空

11 百帕

N2 的最终转速时的气体流量

6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s

不带气镇的最终压力

1 · 10-7 百帕

允许冷却水的温度

15 – 35 °C 摄氏度

冷却水消耗最小值

100 l/h

冷却水耗量

100 l/h

冷却类型，可选项

空气

冷却类型，标准

水

声压水平

≤50 dB(A) 分贝 (A)

安装方向

任何

排气连接

G 1/8"

接口，扩展

Profibus

方位

混合动力

zui大允许磁场

6 mT

根据 PNEUROP 的最终压力

< 1 · 10-7 百帕

电子驱动单元

带有 TC 400

电流zui大值

8,75 A

耗电量 max.

420 瓦

转速 Â± 2 %

49,200 rpm | 49,200 min-1

转速可变化

60 – 100 

运行时间

2 分

连接法兰（入口）

DN 160 ISO-F

连接法兰（出口）

DN 25 ISO-KF/G ¼"

重量

12.1 千克

防护等级

IP54