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SOI硅基单片集成 11bit 可调光延迟线芯片
| 参考价 | ¥ 9999 |
| 订货量 | ≥1件 |
具体成交价以合同协议为准
- 公司名称 四川梓冠光电科技有限公司
- 品牌
- 型号
- 所在地 绵阳市
- 厂商性质 生产厂家
- 更新时间 2024/12/4 8:55:48
- 访问次数 47
联系方式：陈女士 17308159058 查看联系方式
联系我们时请说明是仪器网上看到的信息，谢谢!
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SOI硅基单片集成 11bit 可调光延迟线芯片单片集成多比特光时延芯片基于厚膜SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。
SOI硅基单片集成 11bit 可调光延迟线芯片
SOI硅基单片集成 11bit 可调光延迟线芯片单片集成多比特光时延芯片基于厚膜SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。
。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片，光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段，具有极低的串扰和非目标时延信号消光比。最大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度减小系统体积；由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比，光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力，适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。
硅基11位可调光延迟线参数如下：
序号 | 项目 | 参数 |
1 | 波长（nm） | 1550 |
2 | 延时位数 | 11，可定制 |
3 | 最小延时步进（ns） | 33，可定制 |
4 | 最大延迟（us） | 33，可定制 |
5 | 延迟线精度（ps） | ±50 |
6 | 延时偏差（重复精度@23°±1度）（ps） | ≤±1 |
7 | 延时切换时间（光开关）（ns） | 200-300 |
8 | 插入损耗（dB） | ≤30 |
9 | 各延时态损耗差异（dB） | ±1.5 |
10 | 回波损耗（dB） | 45 |
11 | 连接头 | FC/APC |
12 | 尾纤长度（m） | 1 |
13 | 光纤类型 | 单模光纤 |
14 | 控制类型 | TTL |
15 | 电压（V） | 5 |
16 | 电流（mA） | ＜400 |
17 | 连接器 | 可定制 |
18 | 承受光功率（mW） | 300 |
19 | 工作温度（℃） | -30~50 |
20 | 贮存温度（℃） | -55~70 |
21 | 尾纤长度 | 可定制 |
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