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SOI单片集成 6 比特光延时芯片

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SOI单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下,硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级,厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平,单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题,是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。

详细信息 在线询价

SOI单片集成 6 比特光延时芯片

〖简介Introduction〗

梓冠光电的SOI单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下,硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级,厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平,单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题,是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。

〖特性Features

n 高速切换

High speed switching

n 高延时精度

High delay accuracy

n 超小尺寸

Ultra-small size

n 超宽带工作

Ultra-broadband operation

n 全固态波导芯片可靠性强

〖应用Applications〗

n 光控相控阵雷达系统、电子对抗系统

主要性能指标 Specifications

性能指标

Parameter

单位

Unit

典型值

Typical value

备注

Notes

延时位数

Delay bits

/

6

可定制

Can be customized

最小延时步进        

Min.step-delay

ps

59.2

可定制

Can be customized

可调节最大延时量      

Adjustable max.delay

ps

3729.6


延时偏差

Delay deviation

ps

≤±0.5

≤±1@max

延时切换时间            

Delay switching time

µs

1


插入损耗

Insertion loss

dB

14


各延时态损耗差异

Delay state loss difference

dB

±0.5


波损耗

Return loss

dB

45


芯片尺寸

Chip dimension

mm

22×10×0.7
























四川梓冠光电科技有限公司成立于2015年8月,位于中国科技城——绵阳。主要致力于光通信设备和光通讯芯片的研发、设计、生产及销售;是一家拥有自主研发能力及规模性量产能力的光通信高新技术企业。
   梓冠光电自成立以来,持续投入研发,吸纳通信行业技术人才,其中博士占比人数5.7%,本科占比人数22.8%。公司产品日渐邹于多元化,不仅拥有行业水平的光开关、光衰减器、光纤延迟线、偏振控制、MEMS器件、高速光探测器、硅基高速器件、脉冲光纤激光器、飞秒光纤激光器、半导体激光器及光路保护设备(OXC)等产品,公司还为激光雷达系统、量子通讯系统、激光聚变成像传输系统等提供核心的高精端光器件,其中光纤延迟器、光开关、光衰减器系列为核心技术的量产产品,产品技术获得多项认证,其中发明6项,外观,软著,实用性等共16项。


四川梓冠光电科技有限公司

|

手机:17308159058

联系人:陈女士

电话:86-0816-2384466

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