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SOI芯片光电探测器阵列

参考价 ¥ 9999
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SOI芯片光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

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SOI芯片光电探测器阵列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

〖特性Features

多通道

高集成度芯片化

大模拟带宽

〖应用Applications〗

光纤传感

光纤通信

激光雷达


〖性能指标Specifications〗

参数指标

Parameters

 

 

单位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

 

最大值

Max.

备注

Notes

波长范围

Wavelength range

 

 

 

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

 

暗电流

Dark current

 

nA

35


50


3 dB模拟带宽

3 dB bandwidth

GHz



28


光饱和功率

Optical saturation power

mW

10




响应度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光学混频器损耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光学混频器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道数

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纤接入损耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相关损耗

PDL

dB

≤0.3


工作温度范围

Operating temperature range

°C

-20


50


工作湿度范围

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)







































订货信息Ordering information〗

ZG

波长

Wavelength

通道数

Number of channels

类型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

 

 

1=光电探测器

1=PD

2=混频器

2=Mixer

XX=other












四川梓冠光电科技有限公司成立于2015年8月,位于中国科技城——绵阳。主要致力于光通信设备和光通讯芯片的研发、设计、生产及销售;是一家拥有自主研发能力及规模性量产能力的光通信高新技术企业。
    梓冠光电自成立以来,持续投入研发,吸纳通信行业技术人才,其中博士占比人数5.7%,本科占比人数22.8%。公司产品日渐邹于多元化,不仅拥有行业水平的光开关、光衰减器、光纤延迟线、偏振控制、MEMS器件、高速光探测器、硅基高速器件、脉冲光纤激光器、飞秒光纤激光器、半导体激光器及光路保护设备(OXC)等产品,公司还为激光雷达系统、量子通讯系统、激光聚变成像传输系统等提供核心的高精端光器件,其中光纤延迟器、光开关、光衰减器系列为核心技术的量产产品,产品技术获得多项认证,其中发明6项,外观,软著,实用性等共16项。

四川梓冠光电科技有限公司

|

手机:17308159058

联系人:陈女士

电话:86-0816-2384466

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