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离子研磨仪 ArBlade 5000

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截面研磨速率高达1mm/h*1!新研发的PLUSII离子枪发射出高电流密度离子束,大幅提高*2了研磨速率

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截面研磨速率高达1 mm/h*1

新研发的PLUSII离子枪发射出高电流密度离子束,大幅提高*2了研磨速率。

*1
Si突出遮挡板边缘100 µm,1个小时加工深度
*2
研磨速率是本公司产品(IM4000PLUS:2014生产)的2倍

截面研磨结果对比
(样品:自动铅笔芯、研磨时间:1.5小时)


本公司产品IM4000PLUS


ArBlade 5000










截面研磨宽度可达8 mm!

使用广域截面研磨样品座,加工宽度可达8 mm,十分适用于电子元件等的研磨。










复合型研磨仪

IM4000系列复合型(截面研磨、平面研磨)离子研磨仪。
可根据需求对样品进行前处理。

截面研磨

切割或机械研磨难以处理好的软材料或复合材料的截面制作

平面研磨

机械研磨后样品的精修或表面清洁

截面研磨加工示意图


平面研磨加工示意图    





通用
使用气体 Ar(氩)气
加速电压 0~8 kV
截面研磨
研磨速率(材料Si) 1 mm/hr*1以上含 1 mm/hr*1
研磨宽度 8 mm*2
样品尺寸 20(W) × 12(D) × 7(H) mm
样品移动范围 X ±7 mm、Y 0~+3 mm
离子束间歇加工功能 标准配置
摆动角度 ±15°、±30°、±40°
平面研磨
加工范围 φ32 mm
样品尺寸 φ50 × 25(H) mm
样品移动范围 X 0~+5 mm
离子束间歇加工功能 标准配置
旋转速度 1 r/m、25 r/m
倾斜角度 0~90°
*1
Si突出遮挡板边缘100 µm,1个小时加工深度
*2
使用广域截面研磨样品座时

选配

项目 内容
高耐磨遮挡板 耐磨遮挡板是标准遮挡板的2倍左右(不含钴)
加工监测用显微镜 放大倍率 15×~100× 双目型、三目型(可加装CCD)


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