1、产品特点：
凭借高于95%的量子效率，及其高达155×162毫米的极大有效面积，PILATUS4 R CdTe探测器可对基于从铜（Cu）到銦（In）的任何X射线源的快速数据收集。特别是对于钼（Mo）、银（Ag）和銦（In）辐射，PILATUS4 R CdTe的性能优于任何配有硅传感器的HPC探测器—甚至包括目前拥有最厚的硅传感器的PILATUS3。
PILATUS4凭借出色的计数率和五探测器背景噪音的特点，实现了跨越十个数量级的广泛动态范围，高达200Hz的内部帧速，进一步优化了计数率校准，从而确保高强度测量的高度准确性。此外，PILATUS4还具备四个能量区分阈值，为劳厄衍射和光谱成像等应用带来了新的可能。
2、核心优势
- 巨大且有效：有效成像面积高达155×162mm，量子效率超过95％
- 限度的高动态范围：通过零探测器背景噪音、的计数率以及同步读/写技术，实现了限度的高动态范围。
- 多功能性：覆盖了从铜（Cu）到銦（In）高量子效率；四个能量区分阈值适用于多色光应用。
3、应用领域
- 单晶衍射
- 小角X射线散射
- 光谱成像
- 劳厄衍射
4、技术参数：
PILATUS4 R CdTe | 1M | 260K | 260K-W |
有效面积：宽×高 [mm²] | 155.0 x 162.0 | 77.0× 79.5 | 155.0 x 38.3 |
像素阵列 | 1033 x 1080 | 513 × 530 | 1033× 255 |
像素大小 [μm²] | 150 x 150 | ||
能量范围 [keV] | 8 - 25 (8 - 100)【1】 | ||
能量阈值数量 | 4 | ||
| 阈值范围 [keV] | 4-30（4-80）【1】 | ||
计数率 [ph/s/pixel] | 5.0 x 106 | ||
帧频 [Hz] | 10 | 100 | 100 |
读出时间【2】 | 连续读出 | ||
传感器材料 | CdTe | ||
传感器厚度[μm] | 1000 | ||
点扩散函数 | 1 pixel（FWHM） | ||
尺寸（WHD）[mm³] | 235 x 237 x 372 | 114 x 133 x 242 | 192 x 92 x 277 |
重量 [kg] | 15 | 4.7 | 5.8 |
【1】可选择校准来扩展能量范围
【2】两次曝光之间的有效死时间＜100ns（损失1count/pixel）
*您想获取产品的资料：
个人信息：
