Obducat纳米压印仪EITRE® 3

传统光刻技术是利用电子和光子改变光刻胶的物理化学性质，进而得到相应的纳米图形。Obducat纳米压印仪EITRE® 3技术却可以不使用电子和光子，直接利用物理机理机械地在光刻胶上构造纳米尺寸图形。目前NIL技术已经可以制作线宽在5nm以下的图案。鉴于其技术优势，NIL可应用于微电子器件、信息存储器件、微反应器、微/纳机电系统、传感器、微/纳流控器件、生物医用界面、光学及光子学材料等众多领域。

Obducat公司成立于1989年，总部位于瑞典隆德，旋涂分公司位于德国拉多尔夫采尔。2000年，Obducat成为将纳米压印技术商业化的公司，拥有大的NIL安装基地。公司拥有SPT软压、STU紫外及热同时压印和IPS(TM)中间聚合物模版等技术。作为纳米压印设备提供商，不断为公司和科研院校提供可行、低成本、高效益的纳米压印生产及科研的全套解决方案。在发展和生产下一代的电子消费产品如：相机CMOS传感器、各种硬盘、存储介质、高亮度LED、平板显示器和下一代蓝光光盘等方面推波助澜。

Obducat纳米压印仪EITRE® 3

纳米压印技术NIL(NanoImprint Lithography technology）类似于古代的印章，是一项图形转移和复制技术。1995年，普林斯顿大学纳米结构实验室Stephen Y.Chou教授通过机械力在涂有高分子材料的硅基板上等比例压印复制了模版上的纳米图案，其加工分辨率只与模版图案尺寸有关，而不受光刻短曝光波长的物理限制，由此引出纳米压印技术。

纳米压印示意图

纳米压印流程图

    传统光刻技术是利用电子和光子改变光刻胶的物理化学性质，进而得到相应的纳米图形。NIL技术却可以不使用电子和光子，直接利用物理机理机械地在光刻胶上构造纳米尺寸图形。目前NIL技术已经可以制作线宽在5nm以下的图案。鉴于其技术优势，NIL可应用于微电子器件、信息存储器件、微反应器、微/纳机电系统、传感器、微/纳流控器件、生物医用界面、光学及光子学材料等众多领域。

纳米压印技术的应用领域

Obducat纳米压印仪EITRE® 3

The EITRE® Nano Imprint Lithography (NIL) Systems offer a manual and affordable lithography solution, allowing pattern replication in the micro- and nanometer range. The embedded SoftPress® technology ensures excellent residual layer thickness control across the entire imprint area, enabling an accurate pattern transfer.

FULL AREA IMPRINT

SOFTPRESS® TECHNOLOGY

USER-FRIENDLY INTERFACE

MULTIPLE IMPRINT PROCESS CAPABILITY

WIDE RANGE OF CONFIGURATION POSSIBILITIES

SUB-20NM RESIDUAL LAYER THICKNESS