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上海伯东代理 KRi 射频离子源 RFICP 220
| 参考价 | ¥ 1212000 |
| 订货量 | ≥1 件 |
具体成交价以合同协议为准
- 公司名称 伯东企业（上海）有限公司
- 品牌
- 型号
- 所在地 上海市
- 厂商性质 经销商
- 更新时间 2023/1/4 15:22:46
- 访问次数 162
| 参考价 | ¥ 1212000 |
| 订货量 | ≥1 件 |
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上海伯东代理美国进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性.
KRi 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
阳极 | 电感耦合等离子体 |
zui大阳极功率 | >1kW |
zui大离子束流 | > 1000mA |
电压范围 | 100-1200V |
离子束动能 | 100-1200eV |
气体 | Ar, O2, N2, 其他 |
流量 | 5-50 sccm |
压力 | < 0.5mTorr |
离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
离子束栅极 | 22cm Φ |
栅极材质 | 钼 |
离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000, MHC 1000 |
高度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
锁紧安装法兰 | 10”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专li. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生
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