日盲SiC 紫外雪崩光电二极管（UV APD）

日盲SiC 紫外雪崩光电二极管（UV APD） 描述 --> 日盲SiC 紫外雪崩光电二极管与其他的APD相似，适用于紫外波段弱信号探测，具有非常高的灵敏度和信号增益。它的*性在于其只对UV紫外波段响应。由于采用稳定的SiC基底，所以它的工作偏压比普通的APD要稍高一些，约180VDC。该UV APD可作为真空光电倍增管PMT的固态封装替代。除了只对UV波段响应这个特点外，SiC基底的APD还有另外两个优势，一是在较高能量紫外应用下的稳定性，二是高温的稳定性。

• 只对UV紫外波段响应

• 工作偏压约180VDC

• 在较高能量紫外应用下的稳定性

• 高温的稳定性

• 可作为真空光电倍增管PMT的固态封装替代

• 各种低能量UV探测

• 火焰探测

• UV 光子计数

• 低能量的紫外光监控

• 作为PMT 的稳定固态器件替换

灵敏度	1nW/cm2
增益	105~106
工作偏压	~180VDC
APD尺寸	1.2mm2
封装	QNF-16（4mmx4mm），Pin11正极，Pin2负极