半导体激光外延片

半导体激光外延片
欧屹科技十余年来耕耘于半导体激光领域，与日本，英国，美国，德国等半导体激光芯片外延厂商合作，无论是单管激光芯片，还是bars,stack芯片都可以提供，主要尺寸包括2吋，4吋，6吋芯片，波长从405nm-1200nm，探测器芯片也可以提供，欧屹科技为您提供性价比高的产品和服务。

半导体激光外延片

       欧屹科技十余年来耕耘于半导体激光领域，与日本，英国，美国，德国等半导体激光芯片外延厂商合作，无论是单管激光芯片，还是bars,stack芯片都可以提供，主要尺寸包括2吋，4吋，6吋芯片，波长从405nm-1200nm，探测器芯片也可以提供，欧屹科技为您提供性价比高的产品和服务。

半导体激光外延片用于制备器件：

• 半导体激光器: 波长范围405nm - 1,200 nm

• 面发射器件：VCSELs 和 VECSELs

• 发光二极管：RCLEDs、LEDs和SLEDs

• Schottky二极管

• 光电探测器

主要特征： 

• 多种外延材料和外延结构

• 高可靠性

• 高一致性

• 根据客户要求客户定制

主要优点：

• 开发周期短

• 灵活而可靠

• 低开发成本

• 交货期快

• 有竞争力的价格

另外也可以提供国内高功率激光器或探测器芯片。