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PECVD等离子体增强化学气相沉积设备

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称 科睿设备有限公司
  • 品牌
  • 型号
  • 所在地 上海市
  • 厂商性质
  • 更新时间 2019/12/18 9:34:37
  • 访问次数 1057

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该PECVD等离子体增强化学气相沉积设备系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。可选用射频(RF)、空阴*密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。大沉积尺寸为8英寸。

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该PECVD可以升级到PECVD & 反应离子蚀刻双功能系统(带ICP源)!
PECVD等离子体增强化学气相沉积设备系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。可选用射频(RF)、空阴*密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。大沉积尺寸为8英寸。
等离子源:
5英寸或8英寸多喷头平面中空阴离子源;
600瓦水冷;
Fractal monometer and carrier gas freed;
高密度等离子1013 ions/cc;
均匀性好,低污染;
应用领域:
等离子诱导表面改性(Plasma Induced Surface Modifications);
等离子清洗(NF3);
等离子反应离子蚀刻(Plasma Reactive Ion Etching);
等离子聚合(Plasma Polymerization);
等离子增强化学气相沉积(PECVD);
SiO2, Si3N4, DLC及其它硬质薄膜



PECVD等离子体增强化学气相沉积设备技术参数:

平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直径(Source diameter) 5英寸或8英寸
气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气,1载气,1排气)
源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节
zui高平板温度(Max. platen temp.) 400℃
射频电源(RF power supply source) 600瓦,13.5 MHz
射频偏置(RF bias) 300瓦,13.5 MHz

计算机控制的高品质沉积设备;
射频花洒喷头及等离子源;
大可沉积8英寸直径的薄膜;
RF偏置基底夹具;
水冷平板(water cooled platen);
一路载气和两路反应气通过流量计控制流量;
分子涡轮泵;
基本真空度10-7 Torr;
空气控制阀



主要特点:

可升级到PECVD & 反应离子蚀刻(Reactive Ion Etching,RIE)双功能系统;
5英寸或8英寸等离子源;
电抛光不锈钢腔体;
热台(heated platen);
带有5英寸视窗的门(晶片装载及取出);
装载锁(load lock);
高度调整平板;
腐蚀泵包(corrosive pump package);
增加气路,加热气路;
HMDS或加热液体传输系统;
1kw射频源;
脉冲直流电源;
兰缪尔探针(Langmuir probe)


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