| 我公司薄膜铂电阻：用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2μm以内，用玻璃烧结料把Ni（或Pd）引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。 | 型号 | 外型尺寸 W×L×Hmm | 标称阻值R0 | 工作电流mA | 引线尺寸 W×L×Hmm | 工作温度 oC | 误差 | 外型图 mm | | CRZ-1632-Ni | 1．6×3．2×1．0 | 100Ω | 1 | 0．25×0．15×12 | －40~450 | 1/3DIN A B 2B | | | CRZ-1632-Pd | 0．3×0．2×10 | －50~500 | | CRZ-2005-Ni | 2．0×5．0×1．0 | 2 | 0．25×0．15×12 | －40~450 | | CRZ-2005-Pd | 0．3×0．2×10 | －50~500 | | CRZ-2005-Ni | 500Ω 1000Ω | 0．5 | 0．25×0．15×12 | －40~450 | | CRZ-2005-Pd | 0．5 | 0．3×0．2×10 | －50~500 | | ST-1003-Pt | 1．0×3．0×1．3 | 20Ω | 1 | 0．25×0．15×12 | －50~500 | ◆ 薄膜铂电阻应用的注意事项 1. 直接使用元件或制成温度传感器测温时,避免超过测温量程,短时间内虽不会损坏亦影响产品寿命和精度； 2. 用薄膜铂电阻元件组装温度传感器时,在使用高温固化环氧胶灌封时,应注意其在固化过程中应力的变化,否则可能损坏元件(一般为开路); 在使用氧化镁或氧化铝充填过程中,应避免元件直接接触保护管尖锐的内表面,否则在振动过程中,有可能使元件的瓷片边缘破损,造成元件开路损坏； 3. 在制做温度传感器时,必须保证灌封材料的高度绝缘性能,否则会导致产品的电气绝缘性能降低,并且影响元件的测试数据,一般会导致测试电阻值偏低。 |
