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霍尔效应测试仪器

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MMR可控连续变温霍尔效应测试系统测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数. Ø 温控范围可选 Ø 磁场强度可选

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MMR可控连续变温霍尔效应测试系统
测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数.
Ø 温控范围可选
Ø 磁场强度可选




MMR Hall Effect Measurement System

controlled continuously variable temperature

MMR可控连续变温霍尔效应测试系统




Temperature Compact table top design(简洁桌上型设计)
Two methods of contacting samples:(两种样品接触法)
Spring Loaded probes(弹簧探针)
Wire Bonding with Harness(PCB引线治具)













TemperatureRanges Available:
70K to 580K
80K to 580K
70K to 730K
80K to 730K
Room temp to 730K










Magnet Ranges Available:
5000 Gauss
14000 Gauss


Information Provided
Carrier Mobility(载流子迁移率)
Carrier Concentration(载流子浓度)
Carrier Types (载体类型)
n-type or p-type(N型或P型)
Resistance Measurements(阻值)
Hall Effect of a Magnetic Field(变磁场霍尔)
Hall Effect of Temperature(变温霍尔)




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