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产品概述∶ OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩埚可在炉管内移动（靠步进电机控制）的小型开启式管式炉。炉管外径为50mm，设备最高工作温度为1200℃C。通过触摸屏数字控制器控制样品台或坩埚在炉管内的位置和温度。此设备可进行快速热处理，例如混合物理化学沉积（HPCVD），快速热蒸发 （RTE），以及在各种气氨下进行的水平布里奇号晶体生长（HDC），用于新一代晶体研究。
| 产品名称 | 1200°C坩埚可移动型管式炉 |
| 产品特点 | 炉子配备步进电机，通过触摸屏数字控制器使样品台或坩埚在炉管内移动。 最高温度可达1200℃。 双层壳体结构，并带有风冷系统，可有效降低壳体表面温度。 内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命。 可选择改造为双温区管式炉，但需额外付费，以产生更高的热梯度或更长的恒温区。
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| 基本参数 | 最高温度∶ 1200℃（≤30min） 工作温度∶ 1100℃ 推荐升温速率∶≤10℃/min 加热区长度∶200mn 加热元件∶掺钼铁铬铝合金 电压∶220 最大功率为∶2KW |
| 真空密封 | 高纯石英管50mmn外径x44mm内径x 450nm长 采用KF结构密封法兰，硅胶密封圈密封 法兰上安装有一个机械压力表 右端法兰与一个真空不锈钢波纹管连接 |
| 坩埚移动机构和PLC控制 | 一个直径为1/4"的铠装热电偶（K型），通过法兰伸入到炉管中，并可随坩埚移动，可实时监测样品的实际温度。（见图一） 通过步进电机移动炉管内的坩埚（样品台），最大行程为100mm。 通过触摸屏设定坩埚一定的距离和目标位置，坩埚移动速度为180mm/min（可根据要求提供变速控制，但需额外付费）。（见图二） 在热电偶上安装了一个微型坩埚舟。（ 见图三） 可根据要求提供用于晶片的氮化铝样品架或石墨平板基底支架，将收取额外的定制费（见图四）。
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| 温控系统 | 采用PID方式调节温度，可设置30段升降温程序 温控仪表中带有过热和断偶保护 · 仪表控温精度∶ +/- 1°c 热电偶型号∶ K型 |
| 认证 | 所有电气部件均为U认证，并可通过TUV、cSA认证 CE certified |
| 质保 | 一年保修，终身技术支持。 特别提示∶ 1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。点击查看售后服务承诺书。 |
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