LTF1700C TSSG 单温区单晶提拉生长炉

单温区单晶提拉生长炉
产品介绍：
提拉炉采用硅钼棒进行加热，专门设计针对于材料在真空或气氛保护环境下对材料进行烧结，采用双层壳体结构，使得壳体表面温度小于65℃，高纯度氧化铝纤维作为炉膛保温材料。主要应用领域如单晶生长，碳纳米管生长，陶瓷烧结退火等。

单温区单晶提拉生长炉​ 设备参数：

加热系统：

工作电压：AC220V 单相

最大功率:  9KW

加热区尺寸Φ200*250mm

工作温度: 1700°C（<1hr）

连续工作温度: 1600°C

控温方式采用宇电高精度版本控温控仪表，PID方式调节温度，可程序控温，用户需要探索所长晶体最合适的温度梯度

在上部炉膛处开有一个Φ25mm的斜观察孔，用于在晶体生长过程中对籽晶和晶体液面进行观察。

温控系统： 采用1块宇电高精度仪表，控温精度可达±0.1℃

• 0.05 级精度的控制器，带 150 段程序段，人工智能技术调节

• 配置1根B型热电偶作为温度检测及反馈信号传感器 

籽晶杆固定件和坩埚

• 设备固定装置预留好连接杆的固定装置，可用于连接铂金丝或者水冷提拉杆（铂金丝选配）

• 标配有1套水冷提拉杆，用于连接客户生长晶体所用的籽晶杆；

• 可选配Φ80*80mm的铱金坩埚；

其他选配功能（选配）

 上部提拉密封系统，采用真空波纹管密封，可以实现在真空密封环境下进行提拉法生长晶体；

下部称重系统，采用下称重方式，可以实现对生长晶体的自动精确控制。

伺服电机控制系统：

（提拉速度更为均匀稳定，改善单晶生长质量）

• 提拉速度：0.03-12mm/h

• 提拉杆转速：0.03-50r/min

• 可手动控制实现快速升降
• 提拉行程：400mm

单温区单晶提拉生长炉外形尺寸 600mm(L) x 655mm(W) x 1400mm(H)