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低真空CVD石墨烯生长系统设备描述
CVD1200C-II-SL 200D50-5Z 双温区滑轨式CVD系统由双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。双温区滑轨炉可移动并可实现快速升降温；PLC控制5路质子流量器，能够精确控制系统的供气；真空泵可实现对管式炉快速抽真空。CVD（化学气象沉积系统）常用于表面材料生长、沉积，是一款实验室常用设备。
低真空CVD石墨烯生长系统技术参数
低真空CVD石墨烯生长系统 双温区滑轨炉LFT1200C-II 200D50 | 炉体结构 | 该设备采用双层壳体并带有风冷系统，使其炉体表面温度都小于55℃ · 炉底安装一对滑轨，可手动滑动，以便满足特殊工艺的快速升降温的要求。 |
炉管尺寸 | Φ50/60/80/100×1400mm(可提供特殊定制。) | |
功率 | 5kW | |
输入电压 | 220VAC 单相 50/60Hz | |
加热元件 | Cr27Al7MO2（掺钼铁铬铝合金） | |
温度 | 温度：1200℃ 额定温度：1100℃ | |
升温速率 | ≦10℃/min（推荐） | |
加热区长度度 | · 两个加热区的长度都是200mm · 分别由独立的温控系统控制 | |
恒温区长 | · 100+100mm（±1℃） · 可获得较长恒温区间 | |
控温精度 | · ±1℃ | |
快速连接法兰 | · Φ50快结式不锈钢真空法兰 · 打开法兰直接卸下卡箍即可，取放样品方便 | |
五路质子流量控制系统
| 电压 | 220VAC 单相 50/60Hz |
针阀材质 | 316不锈钢 | |
量程 | 50sccm、100sccm、500sccm、500sccm、500sccm（可根据工艺要求提供多种量程选择） | |
工作温度 | 5～45℃ | |
外型尺寸 | 600(L) x 600(W) x 700(H) mm | |
电压 | AC220V/50Hz单相 | |
功率 | 23W | |
真空系统 | 壳体尺寸 | · 600 (L) x 600 (W) x 700(H)mm |
最大承载量 | · 1000 Lbs | |
抽气速率 | · 10m³/h · 极限真空度：10-1Pa · 双层立式油污过滤器(PE材质）与真空泵连接 | |
质保期 | 一年质保期，相关耗材除外，如炉管，密封圈加热元件等易耗件 | |
使用注意事项 | · 炉管内气压不可高于0.02MPa · 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击 · 石英管的长时间使用温度＜1100℃ · 对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等） | |
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