ExcelitasC30662EHInGaAs雪崩二极管
有效直径 | 200um |
带宽 | >600MHz |
暗电流 | <150nA |
增益 | 10 |
响应 | >9.3 A/W |
温度系数 | 0.14/<0.20 V/°C |
波长范围 | 1100nm-1700nm |
击穿电压 | 40V-70V |
峰值波长灵敏度 | 1.6um |
电容 | 2.5pF |
封装 | TO-18 |
VOP范围 | 40V-65V |
产品简介
InGaAs雪崩光电二极管可以实现从1100nm到1700nm的高量子效率探测,并且在该波段内可以保持高增益、高量子效率和高带宽,光敏面尺寸可高达200μm。窗口和光敏面之间距离较短以便于连接光学系统。
产品特性
■ InGaAs的APD为80μm
■ TO-18的封装
■ 光谱响应1100nm-1700nm
■ 低噪声和黑暗电流
■ 高增益
■ 高量子效率
■ 2.5GHz带宽
应用领域:
■ 激光测距
■ 视频扫描成像仪
■ 光通讯
■ 自由空间通讯
■ 分光光度计
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