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ExcelitasC30662EHInGaAs雪崩二极管

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ExcelitasC30662EHInGaAs雪崩二极管

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产品属性
有效直径 200um
带宽 >600MHz
暗电流 <150nA
增益 10
响应 >9.3 A/W
温度系数 0.14/<0.20 V/°C
波长范围 1100nm-1700nm
击穿电压 40V-70V
峰值波长灵敏度 1.6um
电容 2.5pF
封装 TO-18
VOP范围 40V-65V

产品简介

InGaAs雪崩光电二极管可以实现从1100nm到1700nm的高量子效率探测,并且在该波段内可以保持高增益、高量子效率和高带宽,光敏面尺寸可高达200μm。窗口和光敏面之间距离较短以便于连接光学系统。

 

产品特性                             

■ InGaAs的APD为80μm                          

■ TO-18的封装                             

■ 光谱响应1100nm-1700nm                                

■ 低噪声和黑暗电流                        

■ 高增益                                  

■ 高量子效率

■ 2.5GHz带宽

 

应用领域:

■ 激光测距

■ 视频扫描成像仪

■ 光通讯

■ 自由空间通讯

■ 分光光度计


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