通过在现有的APD系列电弧等离子体纳米粒子形成装置和现有的真空室中增加气相沉积源，可以同时气相沉积不同的“靶”，从而生产具有新特性的材料。
应用
- 利用多个气相沉积源生产化合物
- 在您的真空室中增加
特点
- 纳米粒子的尺寸比以往的湿法更加均匀，因此可以生成高活性的催化剂
- 纳米颗粒的粒径可从1.5nm到6nm不等
- 通过改变气氛，可以很容易地生成氧化物和氮化物
- 可沿任意方向安装ICF070（VG50）凸缘
- 无需水冷设备，易于维护
参数
| 目标尺寸 | φ10mm×长17mm |
|---|---|
| 基板尺寸 | 2英寸（50mm） |
| 成膜速度 | 0.01 nm/s ～ 0.3 nm/s *1 |
| 膜厚分布 | 对于Fe:< ±10%（φ20mm区域）*1 |
| 成膜材料 | 一般导电材料*2 |
＊1 目标到电路板距离80mm时
＊2 靶比电阻0.01欧姆或更小
动作图像
实用程序
设备配置图
- 电源:单相AC200V±10%2kVA
- 尺寸
- ❶ 电容器盒:W110×D320×H200（mm）
- ❷ 真空部:φ34×L200（mm）
- ❸ 电源:W 200×D 360×H 200（mm）
- ❹ 控制器:W 240×D 400×H 200（mm）
※电源和控制器安装在机架中
参考图像
扩展示例
表1目标使用结果表
| 1A | 2A | 3A | 4A | 5A | 6A | 7A | 8 | 1B | 2B | 3B | 4B | 5B | 6B | 7B | 0 | |||
| 1 | H | He | ||||||||||||||||
| 2 | Li | Be | B | C | N | O | F | Ne | ||||||||||
| 3 | Na | Mg | Al | Si | P | S | Cl | Ar | ||||||||||
| 4 | K | Ca | Sc | Ti | V | Cr | Mn | Fe | Co | Ni | Cu | Zn | Ga | Ge | As | Se | Br | Kr |
| 5 | Rb | Sr | Y | Zr | Nb | Mo | Tc | Ru | Rh | Pd | Ag | Cd | In | Sn | Sb | Te | I | Xe |
| 6 | Cs | Ba | Lanthanoid | Hf | Ta | W | Re | Os | Ir | Pt | Au | Hg | TI | Pb | Bi | Po | At | Rn |
| 7 | Fr | Ra | Actinoid | |||||||||||||||
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