WBDQC-4 微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统

主要用途：
★该系统既可用作传统的化学气相沉积设备，又可用作微波能化学气相沉积设备，同时又是微波等离子化学气相沉积设备
★主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域
★该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能，微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、
化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰［3］、纳米粉体合成、处理水污染等领域

产品特点：
★垂直反应器的设计可使等离子高密度；对称的微波发生器装置，使产生的等离子环境更均匀
★谐振腔内没有内部电极，可以避免电极放电所产生的污染，而且，它的运行气压范围比较宽，所产生等离子体密度高、区域大，
    稳定性高，且不与真空器接触，从而避免了器壁对薄膜的污染
★操作便捷：气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构，使取放物料过程简化，只需一支卡箍便可完成气路连接，方便操作，
     取消了复杂的法兰安装过程，减少了安装造成的损坏
★多功能：4种加热方式可选可变：微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热；适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理
★双温区结构：上部等离子区或加热区下部样品台加热区
★开发的微波场传感器，精准控温
★安全：采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计，多重防泄漏保护
*标配装有专业微波抑制器
*内置微波泄漏传感器
★节能：使用寿命长：磁控管微波加热，避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题，也避免了因加热元件
    损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失
★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源，确保设备能够连续稳定长时间运行
★嵌入式微机一体化温度控制系统；实现稳定性控温
★无须烘炉过程：炉腔整体自身发热，加热均匀
★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度
★配有万向轮调节底脚，方便移动和固定

技术参数：

型号/model	WBDQC-4
可加热材料	非易燃易爆的任何材料
微波频率	2.45GHZ±50MHz
加热方式	等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热
大功率/ KW(连续、可调)	4
样品腔长度	标配100mm可根据用户需求订制
加热样品腔(材质)	石英管（微波等离子工作模式）	石英管&刚玉管（其它加热方式）
控温范围/℃	1100℃石英样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选；	1500℃刚玉样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm 可选；
温度测试元件	微波场传感器
温度分辨率/℃	0.1
样品台温度范围	室温-1200℃、更高温度可选配
控温精度/℃	1200℃以下±1；1200℃以上±2℃
温度偏差/℃
温度稳定波动度/℃
冷却方式	风冷
恒温区长度/mm	标配100mm可根据用户需求订制
升温速率(标配)	0～200℃/min（微波等离子工作模式除外） 任意设定，可编程、分段加热
温度控制方式	10段可设工艺参数，7寸触摸屏操作，带数据存储功能；提供手动、自动、恒温控制模式，曲线实时显示
控制气体	控制气体：H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选
流量控制	标配 2 套质量流量控制器：七星华创（真空保护阀门后置，匹配真空模式）；精度：0.8%
大耐压	1MPa；控制响应时间：10ms
真空系统真空泵	RVP2008；压力范围：10 -3 Torr~760 Torr 大抽速：8.5m 3 /h
真空计	数显真空计：1atm-10 -1 Pa
标配	质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件，可以内置实时显示和保存生长参数
气路其他配置	气柜、气路及阀门等
端口	不锈钢 KF50 法兰接口
电源电压（V）	220
微波泄漏量/ mW/㎝2	≤0.4
外型尺寸（长´宽´高）/mm	1100×750×1900

选配功能：
质量流量控制系统；美国Alicat质量流量&控制器