DE500 Sputter 磁控溅射系统溅射镀膜机

DE500 Magnetron Sputter with sputtering chamber of four 

sputter sources and one sample stage for loading the substrate

 up to 6” diameter, the sputter chamber base vacuum pressure

 is10ˉ8 Torr, it can be used to sputter metals, semiconductor 

or insulation materials, it also can sputter alloy film or multi 

layer film, especially it can be used to sputter very thin

 film for some typical materials base on the very low sputter 

pressure, this is the ideal tools 

for thin film R&D for the university and academy.

概述和应用

DE500磁控溅射仪主要包括溅射腔体，4个溅射源和一个样品台可装载并溅射zui大六英寸样品，系统极限真空度10-8托，可用于

溅射金属、半导体及介质材料，可用于溅射合金及多层薄膜材料，特别的是可以维持很低的溅射气压因此可以溅射非常薄的膜层，

是大专院校和科研院所从事材料和薄膜研究的理想平台

Magnetron Sputter Chamber

溅射真空腔室

D shape, 304 stainless steel chamber with viewport

磁控溅射腔体为304不锈钢，并有观察窗

Vacuum Pumping

真空泵

Turbo pump and dry rough pump with sputter chamber

溅射室配备分子泵和无油机械泵

Vacuum Valve

真空阀门

Pneumatic operation high vacuum and isolation gate valves

气动控制高真空和隔离插板阀门

Chamber Vent Valve, Rough and Foreline angle valve, and gas valve

腔体充气阀门，粗抽和前级角阀，气体截止阀

Sputtering Sources

溅射源

Four 4” circle magnetron sputtering sources

4个4英寸圆形磁控溅射源

Each source with Pneumatic shutter

每个源配备手动挡板

The power supply can be DC, pulse DC or RF power supply

电源可以配备直流，脉冲直流或射频电源

Sample Stage 

样品台

Substrate linear motion, rotating, and the sample heating or water cooling, 

Up to 6” substrate with Pneumatic substrate shutte

样品台直线升降和旋转，样品可加热或冷却，zui大6英寸基片装载能力，配气动样品挡板

Vacuum Gauging

真空测量

Wide range vacuum gauge and Pirani rough gauge

宽量程真空计用于测量真空和皮拉尼粗抽计

Pressure Control

压力控制

Three Mass flow controller

三路流量计

Capacitance manometer for sputter process pressure control

一个压力计实现溅射压力控制

Cooled Water Interlock

冷水安全互锁

There are cooled water flow sensors of interlock to protect sputter sources work properly

溅射源冷却水路配水流传感器对溅射源安全互锁保护

Load Lock

Option

O2 reactive, RF plasma cleaning, single or multi substrate loading

可选,

通氧反应，射频等离子体清洗, 单基片或多基片装载能力

Sputter Chamber Size

磁控溅射腔体尺寸

450mm wide x 430mm deep x 450mm high

450mm宽430mm深450mm高

The Base Vacuum Pressure in Sputter Chamber

溅射腔体极限真空度

better than 5E-8 Torr

优于5E-8托

Sample Loading Capacity

装样能力

Max. 6 inch flat substrate

zui大6英寸的平板基片

The Max. Temperature of the Sample Heater

样品加热器zui高温度

1000C

1000度

The film uniformity

膜厚均匀性

better than +/-3% over a rotating 4 inch Silicon wafer

在旋转的4英寸硅基片上的膜厚均匀性由于+/-3%

General Sputtering Pressure

通用溅射压力

1-5 mTorr

1至5毫托