薄膜热应力测试系统（TST）

薄膜热应力测试系统（TST）



薄膜热应力测试系统，采用测量光学设计 MOS 传感器，MOS 传感器荣获美国专属，可快速准确地测量薄膜的曲率、应力强度、随温度变化的曲线关系等。

薄膜热应力测试系统（TST）

  薄膜热应力测试系统，采用测量光学设计 MOS 传感器，MOS 传感器荣获美国专属，可快速准确地测量薄膜的曲率、应力强度、随温度变化的曲线关系等。

产品特点

 获得美国专属技术的 MOS 多光束技术（二维激光阵列）

 采用真空和低压气体保护，可进行温度范围-100~1200°C（多种温度范围可选）的变温测量

 样品快速热处理和冷处理功能

 温度闭环控制保证适当的温度均匀性和精度

 实时的应力、曲率 VS 温度曲线

 程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全面积扫描

 成像功能：样品表面 2D 曲率成像，定量薄膜应力成像分析

 测量功能：曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等

 气体（氮气、氩气和氧气等）Delivery 系统

 可采用泵入液氮冷却,大冷却速率 100°C/min

技术原理

本测试系统采用非接触 MOS 激光技术；不但可以对薄膜的应力、表面曲率和翘曲进行精确的

测量，而且还可二维应力 Mapping 成像统计分析；同时可精确测量应力、曲率随温度变化的关系。

激光部分和检测器固定在同一框架上，这种设计始终保证所有阵列的激光光点始终在同一频率

运动或扫描，从而有效避免了外界振动对测试结果的影响；同时大大提高测试的分辨率；适合各种

材质和厚度薄膜应力分析。

技术参数

温度范围             -100~1200°C( 多种温度范围可选)

温度速率             加热 >10°C/秒

                     冷却

                     600°C，高达 50°C/分钟

                     400°C 到室温， 高 达5°C/分钟 （可扩展更快的升温和降温速率）

温度均匀性           ± 2 °C

温度稳定性           ± 1 %

平均倾斜重复性       < 1μrad

平均曲率重复性       < 2×10E -5 1/m

应力测量范围         几十 KPa ~ 几十 GPa

空间扫描分辨率       高达 1μm

（用户可调） 

曲率分辨率           室温 100Km，高温 20Km

实时热应力测量分析   30 点/秒

真空腔室真空度       10 mTorr

测量基片尺寸 标配    200mm（100mm 和 300mm 可选）

薄膜热应力测试系统（TST）应用

本测试系统现在用于科研或者生产企业中薄膜原位应力监测和控制。

应用于金属薄膜，介电薄膜、滤光片膜、平板玻璃、300mm 半导体集成电路板、薄膜电池、

MBE 和 MOCVD 薄膜制备和退火过程的热应力监控等领域。