购买LED防爆灯具需要注意：
1、看他的价格，俗话说一分钱一分货，不要贪图便宜，要选择适中的价格。
2、选择技术成熟的厂家，起码要有三年的生产经验。
3、购买时一定要让厂家介绍清楚，价格，质量，保修期。
4、购买时看看LED光源的品牌，目前国内的有些厂家的LED光源生产无法运用到高要求的场合。
5、买防爆灯要看防爆等级。
有些人就说了，LED防爆灯无非就是灯珠，与驱动电源，坏了去换一个就可以了，如果维修的人员是一个非常懂LED防爆灯技术，懂LED防爆灯结构的人，还有维修的配件齐全的情况下，是没有任何问题的。但是我相信，没有哪个一供应商，或者使用方，会用高薪留住一个这样的技术性人员，能留得下来的，我也不相信他真的懂LED防爆灯的专业生产技术。就目前行情，一个全懂LED防爆灯生产技术的技术人才，年薪在15-25万之间不等，所有大家想想吧！
荣朗生产的LED防爆灯承诺是三年有任何质量问题，免维换同类全新产品，我们综合考虑到各种条件之后，做出三年包换的售后方式，也是做了很多工作，通过测试我们LED防爆灯配件的工作时效，配件更换更高品质的，通过测试，我们有能力做到这种售后服务。
GF9400耐高温防爆灯 50WLED防爆泛光灯技术参数
执行标准： GB3836.1、GB3836.2、GB3836.3、GB12476.1、GB12476.5
**标志： Exde II CT6 Gb/Ex tD A21 IP66 T80℃
额定电压： AC110-240V 50/60Hz（如有特殊要求请注明）
配用光源： LED
光源功率： 20W、30W、40W、50W、60W、70W、80W、100W
发光效率： ≥110lm/W
功率因数： ＞0.98
色 温： 2700-7000K
防护等级： IP66
防腐等级： WF2
绝缘等级： I
引入装置： G3/4”引入口规格，适合Ф10mm-Ф14mm电缆
接线端子： <2.5m㎡导线可靠连接
GF9400耐高温防爆灯 50WLED防爆泛光灯订货须知
◆按照产品型号规格说明逐条选择并注明**标志；
例如:需要70W规格，吸顶式安装，配接线盒，则产品型号规格为BAD85-M70xH Exde 11CT6 Gb；
◆本灯具出厂时已配光源；
◆安装附件的配置请查阅“安装配件选配表”。
质保承若
本公司产品严格按照ISO9001：2008质量保证体系进行质量控制，严格按照国家标准设计生产，所有原材料及配件均选用优等品；产品实行三年保用，质保期内在正常使用条件下，出现一切质量问题我方将及时给予维修或更换。
产品特性：
BAD85-M防爆LED灯采用高效节能新型LED作为放电光源，配备LED恒流电源，稳定，免维护。具有较强的显色性和光效，可替代多种现有光源。
是节能改造项目的灯具之一。 BAD85-M专业设计的配光系统，光效高、利用率高、配光合理、照度均匀。高防腐性能的不锈钢外露紧固件。
铝合金压铸客体，表面高压静电喷塑。高硼硅物理钢化玻璃透明罩，雾化防眩光设计，抗4J高能量冲击，抗热聚变，透光率高达90%。为纯隔爆结构，
止口隔爆及螺纹隔爆形式，防爆性能更可靠。BAD85-M60光源腔、电源腔、接线腔三腔分离结构，采用间接引入方式，设有独立的接线腔。
特质的恒流恒压电源，宽电压输入，恒功率输出，具有恒流、开路保护、短路保护等功能。
LED防爆灯发光原理：
LED即发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接电能转化成光。LED的核心是一个半导体晶片，半导体晶片由两部分组成，一部风是P型半导体，
在它里面空穴占主导位置，另一端是N型半导体，在这里面主要是电子，两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结，当电流通过导线作用于晶片时，
电子就会被推向P区，在P区里电子根空穴复合，就会以光子的形式发出可见光。
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，
即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，
还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即
λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
