SY12-RTS-4 四探针测试仪

测量范围 电阻率：0.001～200Ω.cm(可扩展)； 方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)； 电导率：0.005～1000 s/cm； 电阻：0.001～200Ω.cm；可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为0.1mA、1mA、10mA、100mA四

测量范围 电阻率：0.001～200Ω.cm(可扩展)； 方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)； 电导率：0.005～1000 s/cm； 电阻：0.001～200Ω.cm；可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为0.1mA、1mA、10mA、100mA四档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　

分辨力：10μV； 输入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；四探针探头基本指标 间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； 机械游移率：≤0.3%； 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；模拟电阻测量相对误差 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 ( 按JJG508-87进行)