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简介:1400℃*真空管式炉以优质硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风冷系统,有效降低炉壳表面温度;结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛...
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简介:1700℃精密真空气氛管式炉采用触摸屏控制系统,一键智能化操作,图文界面操作更便捷;高真空级法兰密封,结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛。适用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛...
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简介:1200℃精密开启式管式炉采用触摸屏控制系统,一键智能化操作,图文界面操作更便捷;高真空级法兰密封,结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛;开启式炉盖设计,可在高温情况下观察物料反应情况并实现...
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简介:1200℃*开启式管式炉以电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风冷系统,有效降低炉壳表面温度;结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛;...
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简介:1200℃小型开启式管式炉,双层壳体结构,设计合理,外形美观,结构紧凑;双层炉壳间配有风冷系统,有效保证外壳表面温度;真空级法兰密封,结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛。
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简介:1700℃*管式炉以1700型优质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风冷系统,有效降低炉壳表面温度;结合我司标准真空、混气系统,可抽真空...
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简介:1400℃双温区管式炉采用智能化程序温控系统,可控硅控制,控温精度高;高真空级法兰密封,结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛;以优质硅碳棒为加热元件,采用智能化控温系统,可控硅控制,控温精度...
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简介:1400℃三温区管式炉采用智能化程序温控系统,可控硅控制,控温精度高;高真空级法兰密封,结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛;以优质硅碳棒为加热元件,采用智能化控温系统,可控硅控制,控温精度...
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简介:1700℃双温区管式炉采用双层壳体结构,智能化自动控温系统、可控硅控制,控温精度高;内置两个温区,可营造不同的温度梯度;结合我司标准真空、混气系统,可抽真空通气氛。
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简介:1700℃三温区管式炉采用智能化自动控温系统、可控硅控制,控温精度高;内置三个温区,可以营造不同的温度梯度;双层炉壳间配有风冷系统,有效降低炉壳表面温度;采用真空级法兰密封,结合我司标准真空、混气...
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