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硅光电池基本特性实验仪光强测量范围

来源:天津津梁仪器设备有限公司   2024年03月07日 11:56  

实验内容: (1) 了解硅光电池的基本结构及基本原理;(2)研究硅光电池伏安特性、硅光电池短路电流与开路电压、相对强度的关系
硅光电池
半导体光源,暗箱
电压测量范围:0-1.999V, 0-19.99V, 三位半数显
电流测量范围:0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半数显
负载电阻:0-9999Ω
光强测量范围:0-1900LUX

CZX1动态磁滞回线测试仪

实验项目:动态磁滞回线测试
可调隔离变压器调压范围:AC:0--100V
样品铁芯截面积:A=354mm2
样品初级线圈铁芯平均长度78mm
样品初级匝数:1150T
样品次级匝数:281T
示波器另配

MR1磁阻效应实验仪

实验内容:(1)研究磁阻元件电阻大小与磁感应强度的关系,(2)研究磁阻传感器的基本特性及应用
数字毫特仪:0--0.5T, 精度0.0001T
直流电源I:电流0--500mA,连续可调
直流电源II:电流0--3mA,连续可调
电压测量:0--199.99mV.数显
配模板


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