原子层沉积（ALD）

原子层沉积（ALD）是一项真正意义上的纳米技术，使纳米超薄薄膜以一种精确控制的方式沉积。

　　原子层沉积(ALD)是一项真正意义上的纳米技术，使纳米超薄薄膜以一种精确控制的方式沉积。

　　原子层沉积ALD有两个特征;

　　自限性原子分层技术增长和高保形涂层。这些特征在半导体工程、微机电系统和其他纳米技术的应用程序使用方面展现许多优势。

　　原子层沉积的优势

　　原子层沉积的过程正是每个周期中单个原子层沉积的过程，*控制的沉积是一个获得纳米尺度的过程:

　　保形涂层即使在高深宽比和复杂的结构中也可以实现

　　可实现针孔和无颗粒沉积

　　一个非常广泛的材料与原子层沉积是可能的，例如:

　　氧化物：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2

　　氟化物：MgF2, AlF3

　　有机杂化材料：Alucone

　　氮化物：TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN

　　金属：Pt, Ru, Pd, Ni, W

　　硫化物：ZnS

　　ALD工具比较

　　原子层沉积系统包括FlexAL和OpAL 两款。