NIST SRM2841半导体薄膜AlxGa1-xAs外延层

NIST SRM2841半导体薄膜AlxGa1-xAs外延层旨在用作测量薄膜成分的分析方法的参考标准

NIST SRM2841半导体薄膜AlxGa1-xAs外延层旨在用作测量薄膜成分的分析方法的参考标准，例如电子微探针分析 (EMPA)、光致发光 (PL)、俄歇电子能谱 (AES) 和 X 射线光电子能谱（XPS）。

 SRM 2841 的一个单元由 AlxGa1-xAs 外延层组成，在安装的砷化镓 (GaAs) 基板上生长经过认证的 Al 摩尔分数 x使用胶带粘贴到不锈钢圆盘上。每个单元都密封在含有氮气气氛的聚酯薄膜信封中。正确使用 SRM 作为比较标准取决于分析方法（参见“测量条件和程序”和 NIST 特别出版物 260-163 [1]）。

储存和处理：

NIST SRM2841半导体薄膜AlxGa1-xAs外延层是一种稳定的化学化合物，但在储存和搬运过程中，薄膜会受到表面污染的氧化。SRM应储存在无尘、氮气气氛或低于50°C的低真空环境中。偶然暴露在空气中以输送或使用在分析系统中，直到暴露超过数千小时时，才会产生明显的污染。SRM应由金属安装盘用清洁的非金属镊子处理，而不与半导体区域接触。半导体表面的局部污染可以用去离子水或干氮流去除，用户必须确认没有引入额外的污染。用于将半导体安装到不锈钢圆盘上的胶带可溶于异丙醇、内酯和其他有机溶剂，使用这些溶剂可能导致胶粘或胶带颗粒迁移到试样表面，样品表面的外边缘应排除在分析范围之外。

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