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Park Systems帕克自动化工业级原子力显微镜NX-Wafer 帕克 自动化工业级原子力显微镜NX-Wafer

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Park Systems自动化工业级原子力显微镜NX-Wafer仪器种类:原子力显微镜样品台移动范围:275mm*200, 375mm*300mm样品尺寸:≤300mm定位检测噪声:≤0.05nm

详细信息 在线询价

自动化工业级原子力显微镜,带来线上晶片检查和测量

Park Systems推出业内噪声*低的全自动化工业级原子力显微镜——XE-Wafer。该自动化原子力显微镜系统旨在为全天候生产线上的亚米级晶体(尺寸200mm和300mm)提供线上高分辨率表面粗糙度、沟槽宽度、深度和角度测量。借助TrueNon-Contact™模式,即便是在结构柔软的样品,例如光刻胶沟槽表面,XE-Wafer可以实现无损测量。

现有问题

目前,硬盘和半导体业的工艺工程师使用成本高昂的聚焦离子束(FIB)/扫瞄式电子显微镜(SEM)获取纳米级的表面粗糙度、侧壁角度和高度。不幸的是,FIB/SEM会破坏样品,且速度慢,成本高昂。

解决方案

NX-Wafer原子力显微镜实现全自动化的在线200 mm & 300 mm晶体表面粗糙度、深度和角度测量,且速度快、精度高、成本低。

益处

NX-Wafer让无损线上成像成为可能,并实现多位置的直接可重复高分辨率测量。更高的**度和线宽粗糙度监控能力让工艺工程师得以制造性能更高的仪器,且成本显著低于FIB/SEM。

应用

串扰消除实现无伪影测量

*的解耦XY轴扫描系统提供平滑的扫描平台

平滑的线性XY轴扫描将伪影从背景曲率中消除

**的特征特亮和行业优越的仪表统计功能

**的工具匹配

CD(临界尺寸)测量

出众的**且精密纳米测量在提高效率的同时,也为重复性与再现性研究带来*高的分辨率和*低的仪表西格玛值。


精密的纳米测量

媒介和基体亚纳米粗糙度测量

凭借行业*低的噪声和**的True Non-ContactTM模式,XE-Wafer在*平滑的媒介和基体样品上实现***的粗糙度测量。

**的角度测量

Z轴扫描正交性的高精度校正让角度测量时**度小于0.1度。



沟槽测量

*的TrueNon-Contact模式能够线上无损测量小至45 nm的腐蚀细节。



**的硅通孔化学机械研磨轮廓测量

借助低系统噪声和平滑轮廓扫描功能,Park Systems实现了****的硅通孔化学机械研磨(TSVCMP)轮廓测量。


Park NX-Wafer特点

全自动图形识别

借助强大的高分辨率数字CCD镜头和图形识别软件,Park NX-Wafer让全自动图形识别和对准成为可能。

自动测量控制

自动化软件让NX-Wafer的操作不费吹灰之力。测量程序针对悬臂调谐、扫描速率、增益和点参数进行优化,为您提供多位置分析。

真正非接触模式和更长的探针使用寿命

得益于砖利的高强度Z轴扫描系统,XE系列原子力显微镜让真正非接触模式成为可能。真正非接触模式借助了原子间的相互吸引力,而非相互排斥力。

因此,在真正非接触模式下,探针与样品间的距离可以保持在几纳米,从而盖上原子力显微镜的图像质量,保证探针**的锋利度,延长使用寿命。

解耦的柔性XY轴与Z轴扫描器

Z轴扫描器与XY轴扫描器*解耦。XY轴扫描器在水平面移动样品,而Z轴扫描器则在垂直方向移动探针。该设置可实现平滑的XY轴测量,让平面外移动降到*低。此外,XY轴扫描的正交性和线性也极为出色。

行业*低的本底噪声

为了检测*小的样品特征和成像*平的表面,Park推出行业本底噪声*低(< 0.5A)的显微镜。本底噪声是在“零扫描”情况下确定的。当悬臂与样品表面接触时,在如下情况下测量系统噪声:

·0 nm x 0 nm扫描范围,停在一个点

·0.5增益,接触模式

·256 x 256像素

选项

高通量自动化

自动探针更换(ATX)

借助自动探针更换功能,自动测量程序能够无缝衔接。该系统会根据参考图形测量数据,自动校正悬臂的位置和优化测量设定。**的磁性探针更换功能,成功率高达99%,高于传统的真空技术。

设备前端模块(EFEM)实现自动晶体处理

您可以为NX-Wafer加装自动晶片装卸器(EFEM或FOUP或其他)。高精度无损晶片装卸机械臂能够***保证XE-Wafer用户享受到快速且稳定的自动化晶片测量服务。

长距离移动平台,助力化学机械研磨轮廓扫描

该平台带有专有的用户界面,可支持自动化学机械研磨轮廓扫描和分析。平面外运动(OPM)在样品为5 mm时小于2 nm;10 mm时小于5 nm;50 mm时小于100nm

离子化系统

离子化系统可有效地消除静电电荷。由于系统随时可生产和位置正离子和负离子之间的理想平衡,便可以稳定地离子化带电物体,且不会污染周边区域。它也可以消除样品处理过程中意外生成的静电电荷。


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