连续式四探针片电阻及光学膜厚测量设备

产品描述：设计,片电阻不受针尖距离影响多种型号以供选择

设计, 片电阻不受针尖距离影响多种型号以供选择: 
自动上下片(Cassette to cassette, C2C) 
室温至100°C 的测量(更高可选)
可添加并整合于多腔式的集束型架构设备(cluster tool) 

亦可在连续式设备内加入四探针片电阻及光学膜厚测量, 适合薄膜太阳能(铜铟镓硒, CIGS)及平板显示行业

基材尺寸: 
450mm晶圆 (样品台旋转)
370 x 470mm 长方形基底 (XY样品台)
连续式设备可以度身订做, 没有尺寸限制 
片电阻测量适合金属薄膜、铜铟镓硒、非晶硅(硅)、碲化镉、钼、透明导电薄膜(AlZnO2)、掺杂之后的硅(硅)、硅锗及锗 
0.1 – 100,000 单位面积奥姆值 (更高可选) 
短时间重复性: 0.1% (21次连续测量同一点, 一个公差值) 
长时间重复性.0.2% (每天21次连续测量同一点, 连续5 天, 一个公差值)

可整合于连续式(INLINE)的生产线内, 而收集的测量数据可自动送到SCADA系统
光学膜厚测量功能可选 
测量光斑<1mm
波长: 380-1050nm
可测量膜厚: 15-50nm, 多可达250nm
短时间重复性: ~0.1nm 
长时间重复性:: ~0.1nm 
准确度: 0.4% or 0.1nm