OLED发光效率测量系统

我公司推出OLED发光效率测量系统，OLED光谱性能测试系统，OLED发射光谱测量系统，OLED光谱分析仪，OLED光电性能测试系统（IVL曲线，外量子效率EQE），OLED载流子迁移率测量系统、光电性能评估系统以及软件模拟研发系统。

OLED发光效率测量系统

应用：
   有机发光器件OLED
   量子点LED
   钙钛矿LED等

主要测试功能：

   OLED效率测量/EQE测量，功率效率Lm/W 和电流效率 Cd/A；
   发射角度-光谱测量；
   光谱&颜色测量@发射角；
   CIE xyY和显色指数CRI；
   可视角测量；
   IVL(电流—电压—亮度)测量；
   PL光致发光和EL电致发光测量；
   p，s极性测量；

OLED发光效率测量系统

主要技术规格：
   角度范围：-85°~+85°；
   光谱范围：360nm~880nm，分辨率1.2nm;

主要特性：

1.PL和EL发射光谱特性的测量：

• 利用CIE xyY颜色空间展示OLED发光色度；
• 可计算出外量子效率EQE，流明效率Lm/W 以及发光效率Cd/A

• 可视角测量；
• 发射角对应的光谱和颜色；
• IVL电流-电压-亮度曲线测量；
• 光致发光和极化；
• 可与Setfos组合，对发射层进行分析。

 2.发射区拟合：通过光谱角度的测量，以及材料的n,k层型结构，计算拟合出OLED的发射区，得到分子取向的分布和发光方向。（拟合需要的信息：OLED所有层的厚度，OLED中所有材料的折射率n和消光系数k ）

 3.实时监控

• 双峰发射区；
• 高电流密度下，空穴传输层和发射层的变化；
• 频率响应、发射方向、老化过程的监控