GDAT-A 高频电容率和介质损耗因数测试仪
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- 公司名称 北京北广精仪仪器设备有限公司
- 品牌
- 型号 GDAT-A
- 所在地 北京市
- 厂商性质 生产厂家
- 更新时间 2021/4/27 14:59:40
- 访问次数 267
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高频电容率和介质损耗因数测试仪 自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。
全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。
高频电容率和介质损耗因数测试仪 仪器特点:
☆接线简单(正接法两根线,反接可使用一根线),所有电缆线均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,测量电压缓升、缓降,全自动测量,结果直读,无须换算。
☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。
☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。
☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路,将矢量运算法与移相法结合,有效地消除强电场干扰对测量的影响,适用于500kV及其以下电站的现场试验。
☆CVT测量 *自激法测量CVT功能,不需外加任何设备,可完成不可拆头CVT的测量。一次接线(三根电缆,不用倒线),一个测量过程(大约1分钟),两个终测量结果(C1和C2的介损及电容值)。测量过程中文显示,能实时监测自激电流值和试验电压(高压)值。能消除引线对测试的影响,测量结果准确可靠。
☆ 高频电容率和介质损耗因数测试仪 安全措施
(1)高压保护:试品短路、击穿或高压电流波动,能迅速切断高压输出。
(2)CVT保护:设定自激电压的过流点,一旦超出设置的电流值,仪器自动退出测量,不会损坏设备。
(3)接地检测:仪器有接地检测功能,未接地时不能升压测量。
(4)防误操作:具备防误操作设计,能判别常见接线错误,安全报警。
(5)防“容升”:测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应,仪器能自动跟踪输出电压,保持试验电压恒定。
☆ VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器,在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单,操作提示各种警告信息,直观明了,不需查阅说明书即可操作。
☆打印 仪器附有微型打印机,以中文方式打印输出测量结果及状态。
☆RS232 仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。
☆可选购与计算机通信应用程序。
技术指标
1 测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足
下列表中的技术指示要求。
在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介质损耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)时
测量项目 测量范围 测量误差
电容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介质损耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001
2 电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度,为保证测量准确度,
希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量
成正比。
在下面的计算公式中,用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平,在这
个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中:U为测量电压 伏特(V)
ω为角频率 2pf=314(50Hz)
Cn标准电容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另仪的电流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另仪内阻约1500 欧姆(W)
R4桥臂R4电阻值3183 欧姆(W)
Cx被测试品电容值 皮法(pF)
3 电容量及介损显示精度:
电容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 损: ±0.5%tgdx±1×10-4
4 辅桥的技术特性:
工作电压±12V,50Hz
输入阻抗>1012 W
输出阻抗>0.6 W
放大倍数>0.99
不失真跟踪电压 0~12V(有效值)
5 指另装置的技术特性:
工作电压±12V
在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V/格, 电流灵敏度不低于2X10-9A/格
二次谐波 减不小于25db
三次谐波 减不小于50db
主要特点:
空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。 印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低,。
电桥的介绍:
西林电桥是测量电容率和介质损耗因数的经典的装置。它可使用从低于工频(50 Hz-60 Hz)直至 100 kHz的频率范围,通常测定 50 pF-1 000 pF的电容(试样或被试设备通常所具有的电容)这是一个四臂回路(图A. 1)。其中两个臂主要是电容(未知电容 Cx和一个无损耗电容C,)。另外两臂(通常称之为测量臂)由无感电阻R,和 R:组成,电阻 R,在未知电容 Cx的对边上,测量臂至少被一个电容 C,分流 一般地说,电容 C:和两个电阻R,和R:中的一个是可调的。
如果采用电阻R、和(纯)电容 C 的串联等值回路来表示电容 Cx,则图 A. 1所示的电桥平衡时导出 :
R1
Cs=Cn·——
R2
和tanδx=ωCSRS=ωC1R1
如果电阻 R2被一个电容C2分流,则tanδ = 的公式变为:
Tanδx=ωC1R1---ωC2R2
由于频率范围的不同,实际上电桥构造会有明显的不同。例如一个50 pF-1 000 pF的电容在50 Hz时的阻抗为 60 MΩ-3 MΩ,在 100 kHz时的阻抗为 3 000 Ω-1 500Ω.
频率为 100 kHz时,桥的四个臂容易有相同数量级的阻抗,而在 50 Hz-60 Hz的频率范围内则是不可能的。因此,出现了低频和(相对)高频两种不同形式的电桥.
低频电桥
一般为高压电桥,这不仅是由于灵敏度的缘故,也因为在低频下正是高电压技术特别对电介质损耗
关注的问题。电容臂和测量臂两者的阻抗大小在数量级上相差很多,结果,绝大部分电压都施加在电容
Cx和 C}上,使电压分配不平衡 上面给出的电桥平衡条件只是当低压元件对高压元件屏蔽时才成
立。同时,屏蔽必须接地,以保证平衡稳定。如图A. 2所示。屏蔽与使用被保护的电容 C、和 C、是一
致的,这个保护对于Ch来说是*的。
由于选择不同的接地方法,实际上形成了两类电桥。
带屏蔽的简单西林电桥
桥的B点(在测量臂边的电源接线端子)与屏蔽相连并接地。
屏蔽能很好地起到防护高压边影响的作用,但是增加了屏蔽与接到测量臂接线端 M和 N的各根导线之间电容.此电容承受跨接测量臂两端的电压 这样会引人一个通常使 tans的测量精度限于0.1%数量级的误差,当电容CX和CN不平衡时尤为显著。
带瓦格纳(Wagner)接地电路的西林电桥
图 A.2示出了使电桥测量臂接线端与屏蔽电位相等的方法。这种方法是通过使用外接辅助桥臂ZA、ZB(瓦格纳接地电路),并使这两个辅助桥臂的中间点 P接到屏蔽并接地。调节辅助桥臂(实际为
ZB)以使在 ZA和 ZB上的电压分别与电桥的电容臂和测量臂两端的电压相等.显然,这个解决方法包括两个桥即主桥 AMNB和辅桥 AMPB(或 ANPB)同时平衡。通过检测器从一个桥转换到另一个桥逐
次地逼近平衡而终达到二者平衡.用这种方法精度可以提高一个数量级,这时,实际上该精度只决定于电桥元件的精密度平衡 用这种方法精度可以提高一个数量级,这时,实际上该精度只决定
于电桥元件的精密度。
必须指出,只有当电源的两端可以对地绝缘时才使用上述特殊的解决方法。如果不可能对地绝缘,则必须使用更复杂的装置(双屏蔽电桥)。
高频西林电桥
这种电桥通常在中等的电压下工作,是比较灵活方便的一种电桥;通常电容 CN是可变的(在高压电桥中电容 CN通常是固定的),比较容易采用替代法。
由于不期望电容的影响随频率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格纳接地线路。
高频电桥
由于它不再是一个高压电桥,因此承受电压U1的臂能容易地引人可调元件;替代法在此适用
还应指出,带有分开的初级绕组的电桥允许电源和检测器互换位置。其平衡与在次级绕组中对应
的安匝数的补偿相符.
GB/T 1409-2006标准规定了在15 Hz-300 MHz的频率范围内测量电容率、介质损耗因数的方法,并由此计算某些数值 ,如损耗指数。本标准中所叙述的某些方法,也能用于其他频率下测量.
本标准适用于测量液体、易熔材料以及固体材料。测试结果与某些物理条件有关,例如频率、温度、
湿度,在特殊情况下也与电场强度有关有时在超过 1 000 V的电压下试验,则会引起一些与电容率和介质损耗因数无关的效应,对此不予论述.
电介质的用途
电介质一般被用在两个不同的方面:
用作电气回路元件的支撑,并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘;
用作电容器介质
频率范围:
方法 | 频率的推荐范围 | 试样形式 | 注 |
1、西林电桥 | 0.10 MHZ及以下 | 板或管 |
|
2、变压器电桥 | 15 HZ~50 MHZ |
| |
3、并联T型网络 | 50 KHZ~30 MHZ |
| |
4、谐振法 | 10 KHZ~260 MHZ |
| |
5、变电纳法 | 10 KHZ~100 MHZ |
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