随着半导体行业的飞速发展，电子器件尺寸逐渐缩小，因此要求晶片表面平整度达到纳米级别。传统的平坦化技术，仅仅能够实现样品局部平坦化，但是当小特征尺寸达到0.25μm以下时，必须进行全局平坦化。常见的传统平坦化技术很多。如热流法、旋转玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法、选择淀积、低压CVD、等离子增强CVD、淀积-腐蚀-淀积法等，但它们都属于局部平坦化工艺，不能做到全局平坦化。90年代兴起的化学机械抛光技术（CMP）则从加工性能和速度上同时满足硅片图形加工的要求，其也是目前可以实现全局平坦化的技术。
化学机械抛光(chemical mechanical polishing)，简称CMP，目前能在超大规模集成电路(VLSI)制造过程中提供全面平坦化的超精密技术。用这种方法可以真正使整个硅晶片表面平坦化，且具有方法简单、加工成本低等优点。使用不同的研磨盘可用于晶体、陶瓷、金属、玻璃、岩样、矿样等材料的研磨抛光。由于化学机械研磨平坦化过程所使用的的研磨液具有腐蚀性，因此设计研发了耐化学腐蚀的化学机械磨抛机UNIPOL-1203，该机研磨部分采用防腐材料，因此适用广泛，通过更换不同的研磨盘既可用于对普通材料的研磨抛光，也可用于对表面需要平坦化的材料的化学磨抛。
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