本文采用徕卡三离子束切割仪TIC 3X的旋转抛光样品台制备IC芯片。
1号样品IC芯片大概长20 mm，厚2 mm，树脂包埋后直径为32 mm，高度11 mm。样品已经用机械的方式抛光好，但是表面抛光得并不是很理想。
01采用TIC 3X的旋转抛光样品台制备不同于离子束切割方式，离子束抛光前需要对样品进行机械抛光，因为两种方式材料去除深度是不一样的，抛光要比切割去除深度浅。为了说明抛光平台的概念，没有对这个样品进行额外的机械抛光。
02参数设置旋转抛光样品台：
电压为7 kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
03结果2号样品样品尺寸为长15 mm，厚3 mm。样品客户已经做了机械抛光，但是表面抛光效果很差。（见下图）
01采用TIC 3X的旋转抛光样品台制备离子束抛光相对于离子束切割方式，材料去除深度要浅，所以要求样品表面要机械抛光好才行（在50倍的光学显微镜下看不见划痕）。
这个样品我们建议用徕卡精研一体机TXP做前处理，这样整排bonding wire都会显现，并且表面的抛光质量也会高很多。
02参数设置旋转抛光样品台：
电压为8 kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
03结果由于之前机械抛光效果很差，所以需要采用8 kv的电压抛光一个小时，通常情况是只需要20分钟。金线（铜线）的去除量要比硅多，所以两种材质已经不在同一平面上了（不同的聚焦面）。然而，下图还是能很好地告诉我们经过离子束抛光后表面的制备质量得到了明显的提高。
3号样品
铜或者金的样品尺寸为长30 mm，厚10 mm，树脂包埋直径为38 mm，高度12 mm。(离子束抛光能接受的高度)。客户已经采用机械抛光好，样品抛光得还行，但是有划痕。
01采用TIC 3X的旋转抛光样品台制备
样品较大，包埋后直径为38 mm。需要离子束抛光的面积大小为30 mmX10 mm。
02参数设置
旋转抛光样品台：
电压为6 kv，角度为12度，工作时间为1个小时。
03结果
由于表面抛光效果还行，所以设置电压低一些，只需要30分钟即可。
总结
以下为客户提供的样品表面（左图）与经过离子束抛光后的表面（右图）对比。
以上样品很好地说明了徕卡三离子束切割仪中旋转抛光平台的概念。即使遇到直径达38 mm的样品的时候，表面能处理的区域也能达到30 mm。离子束抛光程度如何取决于之前的机械抛光，因此建议在离子束抛光前的机械抛光尽量做得好一些，在50倍的光镜下看不见划痕为宜。
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