KJ GaP晶体基片

晶体结构：

立方         a =5.4505 Å

生长方法：

提拉法

密度：

4.13  g/cm3

熔点：

1480  oC

热膨胀系数：

5.3 x10-6  / oC

掺杂物质：

掺S              不掺杂

方向：

<111>or<100>     <100>or<111>

类型：

N                 N

热传导率：

2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3

电阻率W.cm

~0.03             ~0.3

 EPD (cm-2 )

< 3x105            < 3x105