SESAM半导体可饱和吸收镜型号格式:SAM-λ-A-τ-x
? λ - 激光波长
λ - 每个规格SESAM资料中给定的吸收率A对应有效激光波长。在大约±λ/ 50的波长间隔内,SAM仍然可以正常使用,参数没有明显变化。反射率R和波长的吸收率A = 1-R的变化请参考对应SESAM资料。
? A - 低强度吸收率
A- 低于饱和度的低脉冲通量的吸收率。由于下面的布拉格反射镜的透射率消失,所以可以简单地通过A = 1-R从低强度反射率R推导出吸收率。
? τ - 吸收器弛豫时间
SAM从激光脉冲的前沿吸收一些光子。吸收的光子能量被分配给半导体吸收体价带中的电子,其被激发到导带中。由于来自价带的许多激发电子在导带中,吸收器被漂白并具有减小的吸收率。由于不同的效应(例如声子或光子发射),激发的电子在平均弛豫时间τ之后失去了多余的能量。该平均弛豫时间取决于半导体吸收材料的缺陷密度。
从能量的观点来看,的弛豫时间τ应略大于脉冲宽度。在这种情况下,由于在可饱和吸收器中的吸收而导致的光功率损耗是小的,并且可以期望吸收体在长时间内具有较低的退化。
另一方面,在一些情况下可以有利地使用具有比脉冲宽度更短的弛豫时间的SAM,以获得稳定的锁模状态。
? x – SAM封装形式
1、固态激光器:
标准尺寸为4.0 mm x 4.0 mm和0.45 mm厚度的SESAM芯片中为了散热,必须将SAM粘接或焊接在铜散热片上。焊接具有热导率,推荐用于平均光输出功率> 0.2 W情况下。我们提供12.7 mm(1/2“)、25.0 mm和25.4 mm(1”)的标准直径铜散热器。25.0 mm直径的散热片也可作为水冷版本使用。
除了散热器的选择之外,焊接或粘合的SAM在散热器上的位置也很重要。在一些情况下,安装在散热器的边缘上可以更有利地获得激光束到SAM的低入射角。
订购示例:SAM-1064-2-10ps-4.0-12.7se
2、光纤激光器
采用尺寸为1.3 mm x 1.3 mm的小型SAM芯片(光路中没有任何胶水)对接可获得稳定结构。
请注意:由于在从空气(n = 1)到二氧化硅(n = 1.46)的光纤对接耦合期间,SAM表面介质发生变化,导致反射率R和吸收率A = 1 –R发生变化。这种改变取决于SAM结构(谐振、反谐振、介电覆盖)的设计,并且还伴随着SAM表面光场强度的稍微增加。
从光纤耦合SAM芯片去除耗散光功率:一些光功率被SAM芯片吸收,必须通过热传导来去除。
订购SAM用于光纤对接耦合有以下几种封装形式:
a、您可以自己封装,订购一组4个小型SAM芯片,尺寸为1.0 mm x 1.0 mm或1.3 mm x 1.3 mm。
订购示例: SAM-1064-30-8ps-1.3b-0
可选项:FM-1.3 光纤散热支架,适用于1.3 mm x 1.3 mm SAM芯片。可与任何带FC / PC连接器的光纤一起使用。
b、您可以订购光纤耦合SAM。在这种情况下,SAM安装到FC/PC接头的陶瓷套圈上,光路中没有任何胶水。您可以选择各种类型单模光纤,如HI-1060,PM 980(Panda),也可选择另一个光纤端口上的端口类型。我们的标准光纤长度为1m。短的光纤长度为15cm。
订购示例:SAM-1064-30-8ps-FC/ APC-PM980
可选:PHS, 光纤耦合SAM被动散热器,用于FC / PC端口。PHS可以用螺钉安装在较大的金属表面上。
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